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第三代半導體產業技術創新發展大會成功召開

放大字體  縮小字體 發布日期:2018-07-03   來源:中國半導體照明網  瀏覽次數:2756
     2018年6月30日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(以下簡稱“聯盟”)、亞歐第三代半導體科技創新合作中心、張家港市政府聯合主辦,張家港高新技術產業開發區、張家港市科學技術局承辦的“第三代半導體產業技術創新發展大會暨2018中國創新創業大賽第三代半導體專業賽東部賽區啟動儀式”在張家港成功舉辦。
  中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇,中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓,中國科學院院士、中國科學院微電子研究所研究員劉明,科技部高新技術發展及產業化司副司長曹國英,科技部高新技術發展及產業化司原司長、聯盟顧問委員會常務副主任趙玉海,科技部國際合作司原司長、聯盟顧問委員會副主任靳曉明,科技部政策法規司原副司長、聯盟顧問、中國科學學與科技政策研究會副理事長李新男,科技部高新司材料處原處長徐祿平,科技部高新司材料處調研員李志農,中國科學院半導體研究所研究員、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組組長陳弘達,福州大學教授,國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組副組長、新型顯示組長郭太良,北京大學理學部副主任,國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組第三代半導體材料與半導體照明專家沈波,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員、國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組第三代半導體材料與半導體照明方向副組長徐科,中國電子科技集團公司首席科學家程堂勝,浙江大學電氣工程學院院長、長江學者盛況,株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友,聯盟理事長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲等領導、專家,以及近300位來自第三代半導體領域的研究機構、知名企業代表相聚一堂共論發展。張家港市委常委、常務副市長卞東方,張家港經濟技術開發區黨工委副書記、管委會副主任、張家港高新技術產業開發區黨工委副書記、管委會主任、楊舍鎮黨委書記盧懂平等多位地方領導出席了會議。會議第一階段由張家港經濟技術開發區黨工委委員、管委會副主任、張家港高新技術產業開發區黨工委副書記、管委會副主任張雷主持。
  張家港經濟技術開發區黨工委委員、管委會副主任、張家港高新技術產業開發區黨工委副書記、管委會副主任張雷
 
  干勇院士為大會致辭,他指出,第三代半導體是國家新材料發展計劃的重中之重,關系到智能電網、智能制造、5G通訊、高端裝備、軍工等多個領域。聯盟在第三代半導體產業發展上起到了非常重要的促進作用,成為了產業技術、組織、管理、集聚人才的核心。
  中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇
 
  卞東方副市長代表主辦方致歡迎詞。他介紹了張家港在科技創新引領產業轉型升級方面取得的成績,提出希望把張家港建設成為半導體產業的新高地、新標桿而努力,也希望更多的項目可以落戶張家港發展。
  張家港市委常委、常務副市長卞東方
 
  曹國英副司長為會議致辭,肯定了張家港科技發展的創新思路。他指出,中美貿易摩擦的實質是科技競爭,我們要借此發現自己的短板,梳理第三代半導體發展思路,為產業的發展營造良好環境。聯盟推動中國半導體照明走向強國積累了非常好的經驗,第三代半導體的產業發展更需要聯盟整合各方的力量共同推進。
  科技部高新技術發展及產業化司副司長 曹國英
 
  隨后鄭有炓院士、劉明院士、曹國英司長、趙玉海司長、靳曉明司長、李新男司長、卞東方副市長、盧懂平書記、吳玲理事長共同啟動了2018中國創新創業大賽第三代半導體專業賽東部賽區。
  2018中國創新創業大賽第三代半導體專業賽東部賽區啟動
 
  大會報告環節,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟于坤山秘書長主持。中科院微電子研究所劉明院士做了題為“微電子與光電子技術”的精彩報告。劉明院士認為信息化核心支撐是IC的快速發展,集成電路進一步發展呈現多元化發展趨勢。她指出微電子產業的發展特點是學科交叉度高,分工度更加細化;同時受到市場的影響,前瞻科研轉化較快。在光電子產業方面,核心光電器件依托CMOS商用平臺開發取得了重要突破,傳統微電子公司也在積極的投入到光電子產品開發中。
  中國科學院院士、中國科學院微電子研究所研究員劉明
 
  中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓發表了題為“第三代半導體國內外技術及產業現狀與趨勢”的精彩演講。鄭院士指出,第三代半導體作為先進的戰略性新技術,對科學技術、經濟社會發展起著戰略性的支撐作用。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料在高效固態光源和固態紫外探測等光電子、寬禁帶電力電子和寬禁帶射頻領域有著廣泛應用,第三代半導體產業化技術日趨成熟,產業前途極其光明。鄭院士指出我們國家要把握機遇、與時俱進發展新興的第三代半導體產業,不斷創新產業化技術,加快創建產業生態系統。
  中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓
 
  中國電子科技集團公司首席科學家陳堂勝先生做了題為“高頻GaN微波功率器件及其技術發展”的精彩報告。陳堂勝指出,SiC基GaNHEMT同時具備高頻率、高輸出功率、抗輻照等特性,是高頻高功率固態微波功率器件發展方向,GaN HEMT功率器件及MMIC已經全面進入工程應用,國內已建立體系性GaN功率器件產品技術,實現了裝備應用自主保障。陳堂勝指出,材料結構的創新是實現GaN微波功率器件邁向更高工作頻率的關鍵,目前中電科55所實現了多款具有國際領先水平的高頻GaN功率MMIC研制。
  中國電子科技集團公司首席科學家陳堂勝
 
  福州大學嚴群教授發表了題為“MicroLED-推動下一代顯示技術革命”演講,嚴教授從顯示技術的演進出發,介紹了演示技術發展歷程和趨勢。他重點指出MicroLED的應用是非常廣泛的,幾乎能滿足現在所有顯示的需求,是顯示方面下一代的優秀技術,但距其成為主流的顯示技術還有諸多的挑戰和困難需要我們去克服。
  福州大學教授 嚴群
 
  株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友先生發表了題為“新能源汽車與功率半導體技術”的精彩演講。劉先生指出,現階段Si IGBT器件廣泛應用于各種電力電子裝置中,在很大提高了我們的生活質量和舒適性,而新興的SiC MOSFET器件在新能源汽車領域有著廣泛的應用前景。高電流密度、溝槽柵SiC、基于全銅工藝技術的功率模塊、多功能集成式功率模塊是新能源汽車用功率模塊的技術發展趨勢。陳堂勝指出,SiC基材料取代Si基材料是功率器件技術發展趨勢,然而SiC產業發展需要一個過程,當前仍面臨著很大的技術挑戰。
  株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友
 
  IDG資本合伙人俞信華先生作為投資界的代表做了題為“第三代半導體投資分析”的報告,俞信華先生首先回顧了半導體產業發展和投資概況,指出目前半導體行業面臨的挑戰以及對高性能器件日益增長的需求推動了第三代半導體的發展;接著,他重點闡述了第三代半導體的在光電器件、射頻器件和電力電子器件的應用情況和全球的競爭格局。最后,他認為第三代半導體具備改變半導體整個產業鏈的潛力,即使目前還存在挑戰而且存在部分困境,IDG資本將進行更靈活的投資策略來擁抱寬禁帶半導體產業機會。
  IDG資本合伙人、華燦光電股份有限公司董事長俞信華
 
  最后徐科主持了大會對話環節,趙玉海、郭太良、沈波、盛況、陳堂勝、俞信華、朱廷剛、丁國華8位嘉賓圍繞第三代半導體的創新戰略展開討論。大家一致認為要積極發揮聯盟的作業,共同構建健康的產業生態環境,早日實現材料強國的夢想。
  對話
  會議現場
 
  此次會議期間,還召開了Micro-LED技術研討暨CASAMicro-LED專委會成立會議,新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會兩個重要的工作會議。CASAMicro-LED專委會由劉明院士出任主任,副主任由福州大學郭太良教授、南昌大學江風益副校長、北京大學沈波教授擔任,香港科技大學、南京大學、復旦大學、上海大學、南京55所平板顯示技術中心、廣東省半導體產業技術研究院、京東方、TCL、海信、長虹、創維、上海天馬微電子、三安、華燦、乾照、易美芯光、國星、瑞豐、萬潤、洲明、維信諾等材料、器件及顯示應用的多家重要院校、企業加入了專委會。
 
  新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會上,浙江大學電氣工程學院院長、長江學者盛況教授,株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友,精進電動科技股份有限公司創始人兼首席技術官蔡蔚,國家新能源汽車技術創新中心鄭廣州,北京理工大學副教授宋強,上海電驅動股份有限公司北京分公司總經理張琴,深圳比亞迪電子有限公司&高級器件研發經理吳海平,一汽新能源研究院電機電控所功率電子工程師李敏,中國電子科技集團公司第五十五研究所國揚公司副總經理滕鶴松,泰科天潤半導體科技(北京)有限公司技術總經理陳彤,中科院電工所研究員徐菊,廈門芯光潤澤科技有限公司營運長黃以明等專家學者及業內人士共約30多人就第三代半導體在新能源汽車中應用的檢測、標準問題進行了深入探討,著手籌備啟動聯盟新能源汽車專委會,共建大平臺。
 
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